- 삼성, 인텔 등 차세대 메모리시장 주도권 경쟁 확대 조짐
- IoT 분야 먼저 적용…향후 자동차, 산업용으로 확대 계획
[헤럴드경제=손미정 기자] 차세대 메모리 반도체 ‘M램’ 상업화를 둘러싼 파운드리(위탁생산) 시장의 경쟁이 격화되는 가운데, 삼성전자가 M랩 기술의 팹(생산라인) 이전을 성공적으로 마치며 상업화 작업에 속도를 내고 있다.
17일 관련업계 및 외신 등에 따르면 삼성전자는 지난 3일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체소자학회(IEDM)에서 28나노 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정으로 제작된 스핀주입자화반전메모리(STT-MRAM) 기술을 선보였다.
이와 함께 빠른 시일내에 파운드리 서비스에 M램 기술을 접목시킴으로써 상업화 단계에 진입할 것이란 의지도 밝혔다.
이번 학회에서 STT-MRAM 관련 기술 세션에 나선 송윤종 삼성전자 반도체연구소 전문위원은 “삼성의 M램 기술은 사물인터넷(IoT) 등을 대상으로 하면서 신뢰성을 높인 뒤 자동차, 산업용 애플리케이션에 도입될 것”이라며 “삼성은 이 기술을 실험실에서 팹으로 성공적으로 이전했으며, 머지 않은 시일내에 상업화할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
삼성전자가 선보인 STT-M램은 D램과 낸드플래시 메모리의 한계를 극복할 미래형 메모리로 주목받고 있다.
IEDM에서 정은승 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)도 기조연설에서 “4차 산업혁명시대에는 반도체 집적도를 높여 성능과 전력효율을 지속적으로 향상시켜야 하며, 이를 위해 극자외선(EUV) 노광기술, STT-MRAM 등 첨단 파운드리 기술의 진화가 중요하다”며 차세대 반도체 기술 중 하나로 강조한 바 있다.
STT-M램은 휘발성인 D램과 달리 비휘발성으로, D램보다 10배 가량 데이터 처리 속도가 빠르다. 쓰고 지우고를 반복하면서 수명이 감소하는 낸드플래시와 달리 수명이 사실상 영구적이다. 미래형 메모리 반도체는 전원이 없어도 기억을 보존하는 낸드플래시와 처리속도가 빠른 D램의 장점을 결합한 반도체를 말한다. 사용 소재에 따라 M램, P램 등으로 나뉜다.
STT-M램 기술은 2007년 등장하며 파운드리 시장에서 수차례 기술개발에 이은 상용화 시도가 있어왔지만 아직까지 상업적 성공을 거둔 경우는 거의 없다. 지난해 글로벌파운드리가 22FDX(22nm FD-SOI) 공정으로 M램을 공급하고 있지만 M램 기술을 이용한 상업적 제품은 전무한 상황이다.
삼성전자는 2011년 차세대 메모리 반도체 시장 선점의 일환으로 미국 M램 개발업체인 그란디스를 인수, 합병하며 M램 개발에 본격적으로 뛰어들었다. 지난해는 시스템 반도체 위탁 생산 시 M램을 접목한 바 있다.
삼성전자의 ‘M램’ 상업화 작업이 본 궤도에 오르면서 차세대 반도체의 상업화를 위한 경쟁이 더욱 치열해질 것으로 보인다.
실제 IEDM에서 삼성전자 뿐만 아니라 인텔 역시 첨단 공정인 22FFL 기반의 STT-MRAM을 공개했다. 이 자리에서 인텔은 “최초의 핀펫 기반 MRAM 기술”이라고 자사의 기술을 소개하며 “생산 준비가 돼 있다”고 밝혔다.
반도체업계 관계자는 “M램을 접목하기 위한 작업은 오래전부터 메모리 시장에 있어왔다”면서 “파운드리 시장 내의 기술 경쟁이 치열해지면서 기존에 메모리 개발 자체에 집중됐던 M램 기술이 점차 파운드리 기술 경쟁력의 일부로서 확대되는 분위기”라고 설명했다.
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