PC · 모바일용이어 서버용까지 풀라인업 성공
TSV기술 접목 128GB 칩 제작도 가능
‘메모리 반도체 세계 1위’ 삼성전자가 서버용 D램 시장에도 저전력ㆍ고성능ㆍ고용량이 장점인 20나노 공정을 적용한 제품을 내놓았다.
이에 따라 삼성전자는 지난 3월 PC용, 지난달 모바일용에 이어 이번에 서버용 제품까지 잇달아 세계 최초로 ’20나노 D램’을 개발하며 풀 라인업을 구축, 본격적인 ‘20나노 D램 시대’를 펼쳐 나가게 됐다.
삼성전자는 세계 최초로 ‘20나노(1㎚나노미터=10억분의 1m) 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) 서버용 D램<사진>’ 양산에 성공했다고 21일 밝혔다.
20나노 8Gb DDR4 서버용 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 중앙처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품으로, 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품이 될 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.
20나노 8Gb D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2V(볼트)로 DDR3의 1.5V보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮은 강점이 있다.
또 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64기가바이트(GB) 용량의 모듈까지만 생산이 가능했지만, 이번 8Gb D램에는 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 TSV(실리콘관통전극ㆍThrough Silicon Via) 기술을 접목, 최대 128GB의 모듈을 제작할 수 있게 됐다.
TSV는 상ㆍ하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술로, 선을 이용하는 기존 방식(와이어)에 비해 속도와 소비전력이 우수한 장점이 있다.
앞으로 삼성전자는 PC용 제품은 생산 효율이 높은 4Gb, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6Gb, 서버용은 고용량의 8Gb 제품 등 수요에 최적화된 다양한 용량의 D램을 시장에 내놓을 계획이다.
신상윤 기자/ken@heraldcorp.com
